都說比亞迪的技術(shù)魚塘里有無數(shù)條大魚

12月10日

比亞迪在寧波的發(fā)布會上

又一條震于世間的技術(shù)大魚亮相了

那就是IGBT4.0技術(shù)！

讓我們看看下面通俗易懂的小動畫

認識一下這個技術(shù)有多么厲害！

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)全稱“絕緣柵雙極型晶體管”，對于電動車而言，IGBT直接控制驅(qū)動系統(tǒng)直、交流電的轉(zhuǎn)換，決定了車輛的扭矩和最大輸出功率等。

通俗來講，IGBT就是電動汽車的CPU。

12月10日，比亞迪在寧波發(fā)布了IGBT電動中國芯——比亞迪核心技術(shù)解析會

而作為中國第一家實現(xiàn)車規(guī)級IGBT大規(guī)模量產(chǎn)、也是唯一一家擁有IGBT完整產(chǎn)業(yè)鏈的車企，此次發(fā)布會上，比亞迪還釋放了另一重磅消息。

比亞迪已投入巨資布局性能更加優(yōu)異的第三代半導體材料SiC（碳化硅），有望于2019年推出搭載SiC電控的電動車！

預計到2023年，比亞迪旗下的電動車將全面搭載SiC電控！

在剛剛結(jié)束的2018廣州車展上，比亞迪全新一代唐EV正式對外預售。

唐EV百公里加速4.4秒、續(xù)航里程600公里，預售當天的訂單便突破2000輛。

從2015到2017年，比亞迪電動車的銷量已經(jīng)連續(xù)三年位居全球第一。

這與比亞迪在IGBT等核心技術(shù)領(lǐng)域的超前布局密不可分。

IGBT屬于汽車功率半導體的一種，因設(shè)計門檻高、制造技術(shù)難、投資大，被業(yè)內(nèi)稱為電動車核心技術(shù)的“珠穆朗瑪峰”。

制造IGBT難度極大，在大規(guī)模應(yīng)用的1200V車規(guī)級IGBT芯片的晶圓厚度上，比亞迪處于全球先進水平，可將晶圓厚度減薄到120um（約兩根頭發(fā)絲直徑）

在過去相當長的時間里，IGBT的核心技術(shù)始終掌握在國外廠商手里，中高端IGBT市場90%的份額被國際巨頭壟斷，導致“一芯難求”，成為制約我國電動車行業(yè)健康、快速發(fā)展的主要瓶頸。

十多年前，在外界還不看好電動車前景的時候，“技術(shù)狂人”王傳福就默默布局了電動車的核心技術(shù)。

而作為2003年才進入汽車行業(yè)的“新玩家”，比亞迪從一開始就密切關(guān)注IGBT等電動車核心技術(shù)的自主研發(fā)和創(chuàng)新。

2003年，比亞迪作為全球第二大充電電池生產(chǎn)商，收購秦川汽車，正式進軍汽車行業(yè)。

而作為門外漢要在此前未涉足的汽車領(lǐng)域有所建樹，并非易事。

• 2005年，在進軍汽車領(lǐng)域2年后，比亞迪組建自身研發(fā)團隊，投入重金布局IGBT產(chǎn)業(yè)。

• 隨后幾年里，比亞迪頻頻大手筆投入研發(fā)，從IGBT模塊生產(chǎn)線組件到晶圓工廠，比亞迪已完成首款電動汽車IGBT模塊樣品組裝。

• 2009年9月，比亞迪IGBT芯片通過了中國電器工業(yè)協(xié)會電力電子分會組織的科技成果鑒定，打破了國際巨頭的技術(shù)壟斷。

但在技術(shù)領(lǐng)域，研究是個持續(xù)且長期的過程。一項技術(shù)的發(fā)展，除了大批量的研發(fā)投入，還需要一定的底蘊和積累。

經(jīng)過多年的發(fā)展，目前，比亞迪已經(jīng)陸續(xù)掌握IGBT芯片設(shè)計和制造、模組設(shè)計和制造、大功率器件測試應(yīng)用平臺、電源及電控等環(huán)節(jié)，是中國唯一一家擁有IGBT完整產(chǎn)業(yè)鏈的車企。

毫無疑問，這項技術(shù)的研發(fā)具有里程碑意義。

中國半導體行業(yè)協(xié)會IC設(shè)計分會副理事長周生明在10日的發(fā)布會現(xiàn)場表示：

中國電器工業(yè)協(xié)會電力電子分會秘書長蔚紅旗也表示：

“馴服”了IGBT，比亞迪又將目光投向了更遠的未來。

截至2018年11月，比亞迪在IGBT領(lǐng)域已經(jīng)碩果累累：

• 累計申請IGBT相關(guān)專利175件

• 其中授權(quán)專利114件

這對于促進我國芯片產(chǎn)業(yè)以及新能源汽車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有深遠影響。

IGBT芯片打線

而IGBT和電池技術(shù)是當今制約電動車發(fā)展核心，根據(jù)世界三大電子元器件分銷商之一富昌電子（Future Electronics LTD）的統(tǒng)計：

• 2018年，應(yīng)用于新能源汽車的IGBT模塊的交貨周期最長已經(jīng)達到52周（IGBT的交貨周期正常情況下為8-12周）。

• 2018-2022年全球新能源汽車產(chǎn)量年復合增長率達30%，但同期車規(guī)級IGBT產(chǎn)量的年復合增長率僅為15.7%（IGBT產(chǎn)業(yè)整體同期為8.2% ）。

在如今新能源汽車行業(yè)高速發(fā)展浪潮下，可以預見，未來幾年全球車規(guī)級IGBT市場的供應(yīng)將愈加緊張。

但比亞迪也已預見到，隨著電動車性能不斷地提升，對功率半導體組件提出了更高的要求，當下的IGBT也將逼近硅材料的性能極限。

比亞迪IGBT4.0較當前市場主流的IGBT：電流輸出能力高15%，綜合損耗降低了約20%。

尋求更低芯片損耗、更強電流輸出能力、更耐高溫的全新半導體材料，已成為學界和業(yè)界的普遍共識。

據(jù)悉，比亞迪已投入巨資布局第三代半導體材料SiC，致力于降低SiC器件的制造成本，加快其在電動車領(lǐng)域的應(yīng)用。

此次發(fā)布會上，比亞迪宣布，已經(jīng)成功研發(fā)了SiC MOSFET（汽車功率半導體包括基于硅或碳化硅等材料打造的IGBT或 MOSFET等），有望于2019年推出搭載SiC電控的電動車。

比亞迪第六事業(yè)部兼太陽能事業(yè)部總經(jīng)理陳剛表示：

預計到2023年

比亞迪將在旗下的電動車中

實現(xiàn)SiC基車用功率半導體

對硅基IGBT的全面替代

將整車性能在現(xiàn)有基礎(chǔ)上再提升10%

十多年前

比亞迪打破國際巨頭對IGBT的技術(shù)壟斷

助力我國電動車的快速發(fā)展

今天

比亞迪推出了全新的車規(guī)級IGBT4.0

為我國汽車產(chǎn)業(yè)提供強大的“中國芯”

未來

伴隨著比亞迪SiC的推出與大規(guī)模應(yīng)用

我國汽車產(chǎn)業(yè)的“再向上”將獲得新的助推力

企業(yè)興則國家興、企業(yè)強則國家強

讓我們?yōu)橹袊�制造點個贊吧！